「高速」不等於「Low TIM」!!!

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版主: Jeff, Korping_Chang

文章kvl 發表於 週三 11月 26, 2003 9:25 am

我真的搞不清楚您在說什麼?

偏壓可以用不同的方式,用1N4148跟用一個晶體有什麼不同嗎?
這是一般前級常用的架構,您看過的電路可能太少了吧?

把2mA電流源換成兩個10K電阻,結果還是一樣啊!
kvl
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文章mtlin12 發表於 週三 11月 26, 2003 9:41 am

KVL兄,
1.若沒有偏壓時,DB和Low TIM就會有不同,對不對?

2.若是用兩個10K電阻而非2mA電流,對非idea的 Vin是否有影響?
 我是指用電阻是否會改變前一級的Loading,否則buffer IC這樣設計
 不是簡單多了!

3.1N4148與用一個晶體沒有太多不同。
http://homepage19.seed.net.tw/web@3/asaas/default.htm

@世界首創 優質昇壓器結合0dB後級 即將由茂凱推出
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文章kvl 發表於 週三 11月 26, 2003 10:13 am

1.沒有道理不給偏壓,將db-01的輸出級改成達靈頓可以更快。

2.將訊號源內阻改成100R,DB輸更多。

3.討論的重點是:誰比較快、DB的驅動級是否會截止,勿偏離主
題。
kvl
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文章mtlin12 發表於 週三 11月 26, 2003 11:59 am

kvl 寫:1.沒有道理不給偏壓,將db-01的輸出級改成達靈頓可以更快。

2.將訊號源內阻改成100R,DB輸更多。

3.討論的重點是:誰比較快、DB的驅動級是否會截止,勿偏離主
題。

1.我說過DB原本就沒有偏壓,是DB-01才加的,而何博士的
OP+NPN-PNP就是沒有BIAS的B類推挽,現在改為AB類就是用
電阻推兩顆Diode產生偏壓的,若是改用達靈頓也沒問題。


可是DB-01第二級輸出阻抗遠比OP大多了,用達靈頓就是
會"吃"JFET小小的電流,您可以改改看模擬的Model。

2.問題是DB的輸入阻抗比較大,達靈頓輸入阻抗比較小,不適合
DB-01。

3.說真的有ft大限,DB的驅動級是會截止的,Burr-Brown是用
一種ft高達NPN 3.5GHz、PNP 2.7GHz的CBip製程,結果其
diamond buffer IC也沒辦法達到1GHz,BUF634也只有
30MHz or 180MHz而已,DB-01當然也沒有也不是飛快的。
可是正常(音訊)情況下200KHz輸入,DB-01有逆偏可是非常小。

單獨使用Low TIM當 current buffer像瑞典人那麼樣複製的分離式元件設計,我認為速度真的也不會快到那裡,Low TIM的輸入阻抗比BUF634的80~8MΩ差之千里。
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文章wensan 發表於 週三 11月 26, 2003 12:13 pm

mtlin12 寫:wensan兄犯了"專家"之誤,卻不是真正了解電路設計的道理!



:lol: 都已經從「專家」變成「業餘玩家」了,還玩這種「詭辯學」的「下毒陰招」啊! :lol:
:( 誰能了解Low TIM的奧義!?
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文章wensan 發表於 週三 11月 26, 2003 12:18 pm

mtlin12 寫:KVL兄,
1.若沒有偏壓時,DB和Low TIM就會有不同,對不對?


:lol: 沒有偏壓,Diamond Buffer就會比較快嗎? :lol:
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文章wensan 發表於 週三 11月 26, 2003 12:23 pm

mtlin12 寫:我對SPICE model質疑是因為run 出2ns和1GHz的結果,沒錯
我真的不了解BJT的ft,可是1GHz是遠超過MJE340或2N5401
ft的,讓我到目前依舊懷疑其正確性。


:lol: 您不是說:「我敢說二位的小訊號模型是有問題的,因此得到錯誤的結果。」
:lol: 現在怎麼變成「懷疑」?
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文章mtlin12 發表於 週三 11月 26, 2003 12:26 pm

我發現您們的MODEL中訊號源輸出阻抗為零,考慮情況與DB-01是不同的。
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文章wensan 發表於 週三 11月 26, 2003 12:29 pm

kvl 寫:1.沒有道理不給偏壓,將db-01的輸出級改成達靈頓可以更快。

2.將訊號源內阻改成100R,DB輸更多。

3.討論的重點是:誰比較快、DB的驅動級是否會截止,勿偏離主
題。


:ho: 我看算了吧!
:D 他連「基本電學」最基本的概念都沒有,您怎麼跟他談「電路分析」呢?
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文章wensan 發表於 週三 11月 26, 2003 12:35 pm

mtlin12 寫:我發現您們的MODEL中訊號源輸出阻抗為零,考慮情況與DB-01是不同的。


:lol: 我們在比Diamond Buffer跟達靈頓接法,管你DB-01是什麼東東! :lol:
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文章kvl 發表於 週三 11月 26, 2003 12:43 pm

1.再強調一次"輸出阻抗設為100R,DB與LOW-TIM的差距拉得
更大"。

2.所謂"沒道理不給偏壓"是指LOW-TIM,如果都不給偏壓那是
否DB的2mA電流源也該拿掉?

3.DB不給偏壓,模擬的結果會比較快一些,但還是比LOW-TIM
慢。接電容性負載尤其明顯。
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文章mtlin12 發表於 週三 11月 26, 2003 1:04 pm

1.DB-01的第二級輸出阻抗可能大於100R好幾倍。

2.給偏壓是要靠電路的,電流源 or 電阻都可以,當然電阻大電流就小,而用電流源卻變成diamond buffer基本型。

3.DB原本就不給偏壓的。
要論快與慢要有基本的電路、輸出入阻抗..等資料,請建立一個非IEAD模型的LOW-TIM BOX 再度模擬一次,Dr.Ho的電路也可以。
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文章wensan 發表於 週三 11月 26, 2003 1:16 pm

mtlin12 寫:1.DB-01的第二級輸出阻抗可能大於100R好幾倍。

2.給偏壓是要靠電路的,電流源 or 電阻都可以,當然電阻大電流就小,而用電流源卻變成diamond buffer基本型。

3.DB原本就不給偏壓的。
要論快與慢要有基本的電路、輸出入阻抗..等資料,請建立一個非IEAD模型的LOW-TIM BOX 再度模擬一次,Dr.Ho的電路也可以。


:lol: 要比Buffer Amplifier就要用Buffer Amplifier的測試法。
:lol: 您要不要去查查看測Buffer Amplifier的訊號源內阻是多少?
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文章kvl 發表於 週三 11月 26, 2003 1:56 pm

如果要搭一個BUFFER,DB確實容易得多。但如果要放在有增益
的電路裡,兩者都很簡單,當然用達靈頓。

將DB放在有增益的電路裡,實在沒有太大的意義,而這卻是您
引以為豪的。

我的電路-上下兩根10K電阻、5個1N4148,這是很普遍的做法
,跟何生先的沒太大不同。
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文章mtlin12 發表於 週三 11月 26, 2003 4:03 pm

DB在DB-01之內並沒有增益,增益來自第一、第二級。

DB-01第二級的JFET+BJT串疊輸出阻抗高,所以需要設計一個
高輸入阻抗、低輸出阻抗的diamond buffer。

OP沒這樣的問題,所以Dr. Ho的Buffer也沒問題,即使是單純沒
有偏壓的B類。

META42是OP+current bias +DB+ multiloop的組合,現在正
當紅,即使multiloop,其DB一樣沒有增益 ,這方面得問尚兄。
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文章kvl 發表於 週三 11月 26, 2003 4:28 pm

真是雞同鴨講!增益當然來自一、二級,如果我連這個都不懂,
早就躲起來了!

看看我講的,再想清楚,我真的不想口出惡言。
kvl
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文章mtlin12 發表於 週三 11月 26, 2003 5:14 pm

對!理性探討,大家沒必要隔空發火,感謝。

繼續說為何有增益的電路裡面用Buffer,達靈頓會比較好?個人前
面提過,DB-01的第二級是JFET而不是BJT,對放大電流的BJT
是當然而輕鬆的事,但是對gm值小的JFET可是一件苦差事。

如果JFET只管恆流源負載,無需再分擔另一方面的達靈頓的負載
,也就能更快拉升或降低電壓輸出嗎?

我設計DB-01時有個"潔癖",就是各級之間最好只有電壓控制,
而無電流之間的流動,如同JFET、MOS、真空管一般,DT-01
很希望像Borbely一樣全FET設計,但是總是要改一改。DB-01
就改更多,而且前人沒有這樣做,變成我的創作了,不是很好嗎?
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文章mtlin12 發表於 週三 11月 26, 2003 5:17 pm

拜本題目熱烈討論之賜,終於進階一星級士官了。
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文章kvl 發表於 週三 11月 26, 2003 5:39 pm

全FET早就不是什麼新鮮玩意了,黃世昌先生很早以前就推出過
全FET前級!別轉移焦點-DB明顯比LOW-TIM慢、晶體會截止。
用上DB不會讓速度更快!
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文章mtlin12 發表於 週三 11月 26, 2003 6:44 pm

焦點的是DB-01並不(能也不)用達靈頓!

要爭論去模擬META42改為達靈頓來與用DB比較,事情比較單純。

OP推DB,or OP 推達靈頓!
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文章viaviavia 發表於 週三 11月 26, 2003 6:46 pm

我該不該去請黃世昌老師用他兒子的電腦上網來看這個討論啊?

我保證他看過之後會罵人,呵呵。

潛水去,你們繼續。 :P
討論音效卡改裝的網站

http://www.gen6991.idv.tw/
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viaviavia
友站的站老大
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文章mtlin12 發表於 週三 11月 26, 2003 7:21 pm

wensan兄、kvl兄:
另外請模擬輸出是AKG K-1000的loading 120R,以及32R

DB-01可以驅動120R到11V rms,32R約4Vrms,請觀察

達靈頓的輸出晶體是否交互on-off,而DB卻沒有。

我與David_lin兄約定打擂台賽就是K-1000,希望有150mA輸出而且希望是兩顆電晶體不能交互在充電容的電。

差點上"專家"的圈套。 :mad:
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文章mtlin12 發表於 週三 11月 26, 2003 8:16 pm

[quote="wensan"][quote="skychu"]文山兄可否將 "Low Tim"的R4 改900 ohm 再run 一次. 希望不會太麻煩。

另外不知Kvl兄所定驅動級
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文章kvl 發表於 週三 11月 26, 2003 10:41 pm

mtlin12 寫:如果JFET只管恆流源負載,無需再分擔另一方面的達靈頓的負載
,也就能更快拉升或降低電壓輸出嗎?


比較一下達靈頓與DB的輸入阻抗:

電路架構

第一級(差動+電流鏡)、第二級(CE+偏壓晶體+4mA
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文章kvl 發表於 週三 11月 26, 2003 10:55 pm

非常抱歉!您又錯了,輸出10V,100R負載時,DB照樣截止,
充電時間還是比達靈頓長。
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