瑞典人Peranders的SMD DB多快呀!

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版主: Jeff, Korping_Chang

瑞典人Peranders的SMD DB多快呀!

文章mtlin12 發表於 週四 11月 20, 2003 7:07 pm

看看瑞典人Peranders的SMD Diamond Buffer: 10ns Rise Time多快呀!

I have made a small SMD diamond buffer.

Rise time less than 10 ns. I can't see any difference
between input signal and output signal. This buffer fast......

400 mA peak (at least) at +- 15 volts. The groundpplane can cool rather much!

Noise floor below -110 dB (less than the soundcard)

Offset 7.8 mV

Dist less than 0.009% Can't see any difference between
the soundcard alone and the buffer. Walter Jung mentioned in his article
dist down to 0.002% which seems to be true.


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文章mtlin12 發表於 週四 11月 20, 2003 7:12 pm

討論文章在diyaudio

http://www.diyaudio.com/forums/showthread.php?s=&threadid=22598&pagenumber=1

我還不是很清楚為什麼wensan兄與kvl兄模擬的DB會是速度慢得可以?! :ho:
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Re: 瑞典人Peranders的SMD DB多快呀!

文章wensan 發表於 週五 11月 21, 2003 5:01 am

mtlin12 寫:看看瑞典人Peranders的SMD Diamond Buffer: 10ns Rise Time多快呀!

:ho: 10nS並不快呀!Low TIM Amp輸出級的接法,模擬出來Rise Time低於2nS啊!
:( 誰能了解Low TIM的奧義!?
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文章mtlin12 發表於 週五 11月 21, 2003 8:53 am

哇! 2ns=500MHz,遠超過許多BJT的ft了。 :aa:
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文章Dream_Reader 發表於 週五 11月 21, 2003 9:49 am

mtlin12 寫:哇! 2ns=500MHz,遠超過許多BJT的ft了。 :aa:


看不懂! :aa:
Dream_Reader
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文章mtlin12 發表於 週五 11月 21, 2003 12:02 pm

Dream_Reader 寫:
mtlin12 寫:哇! 2ns=500MHz,遠超過許多BJT的ft了。 :aa:


看不懂! :aa:

就如Dream_Reader兄一直強調的propagation delay,以往設計
CMOS ASIC 模擬時每個gate delay能夠在5ns已經很好了(記得
是0.8u製程),連金線wire bonding的電感和pad 接觸電阻效應
,都是以5ns左右估計,所以那時486的chip set要RUN過33MHz
還是很緊張的。 :eeh:

BJT spice model 估算的電容量如何我不是很清楚,總以為達靈
頓的接法不太可能如此快速,2ns=500MHz。
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文章wensan 發表於 週五 11月 21, 2003 12:41 pm

mtlin12 寫:
Dream_Reader 寫:
mtlin12 寫:哇! 2ns=500MHz,遠超過許多BJT的ft了。 :aa:


看不懂! :aa:

就如Dream_Reader兄一直強調的propagation delay,以往設計
CMOS ASIC 模擬時每個gate delay能夠在5ns已經很好了(記得
是0.8u製程),連金線wire bonding的電感和pad 接觸電阻效應
,都是以5ns左右估計,所以那時486的chip set要RUN過33MHz
還是很緊張的。 :eeh:

BJT spice model 估算的電容量如何我不是很清楚,總以為達靈
頓的接法不太可能如此快速,2ns=500MHz。

8) 數位電路的電晶體會工作在飽和區與截止區。
8) 在「過度飽和」或「過度截止」的情況下,要轉態會很慢,因為通道寬度的變化要靠載子堆積,而載子的移動需要時間!
8) 在「過度飽和」的情況下,通道堆積過多載子。在「過度截止」的情況下,通道的載子幾乎都跑光了。
8) 所以「過度飽和」跟「過度截止」間的轉態會很慢!
8) 類比電路根本不希望電晶體飽和或截止,通道寬度的變化比數位電路快多了!
8) 74LS系列的TTL比74系列的TTL快就是一個例子。
:) ECL邏輯更快,因為ECL邏輯電晶體不會飽和!
:( 誰能了解Low TIM的奧義!?
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wensan
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文章skyboat 發表於 週五 11月 21, 2003 2:31 pm

討論偏離 "音頻" ………………………………→ 甚遠! :aa:

※增廣見聞也不錯,請繼續。 :D
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文章狂人 發表於 週五 11月 21, 2003 2:36 pm

skyboat 寫:討論偏離 "音頻" ………………………………→ 甚遠! :aa:

※增廣見聞也不錯,請繼續。 :D


感覺是超高頻區域... :D
每個數位線路中,都有個類比信號在大喊著 "放我出去~"
In every digital circuit, there is an analog signal screaming to get out.
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文章mtlin12 發表於 週五 11月 21, 2003 3:34 pm

skyboat 寫:討論偏離 "音頻" ………………………………→ 甚遠! :aa:

※增廣見聞也不錯,請繼續。 :D


非也,這些各式各樣的DB Current Buffer很多就是給"Hi"-Fi用的。

日本人說要Low TIM的話,BJT要選擇ft高的,起碼100MHz以上
真的是超高頻嗎? 我用了22pF當回饋電容,想說CUT掉200KHz以上
的"超高頻",幾個老外均期期以為不可,並表示頻寬最好有1MHz! :ho:
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文章skyboat 發表於 週五 11月 21, 2003 4:24 pm

mtlin12 寫:
skyboat 寫:討論偏離 "音頻" ………………………………→ 甚遠! :aa:

※增廣見聞也不錯,請繼續。 :D


非也,這些各式各樣的DB Current Buffer很多就是給"Hi"-Fi用的。

日本人說要Low TIM的話,BJT要選擇ft高的,起碼100MHz以上
真的是超高頻嗎? 我用了22pF當回饋電容,想說CUT掉200KHz以上
的"超高頻",幾個老外均期期以為不可,並表示頻寬最好有1MHz! :ho:


也有不少老外所持的觀點是夠用就好,連「超音波」都完美放大輸出,最終還是被喇叭單體 "卡擦" 掉,或
高音單體被 "卡擦"掉! :ho:
(貓狗也哇哇叫)

※小的一向 "Low- End" ,別理我! :D
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文章Dream_Reader 發表於 週五 11月 21, 2003 4:31 pm

mtlin12 寫:
Dream_Reader 寫:
mtlin12 寫:哇! 2ns=500MHz,遠超過許多BJT的ft了。 :aa:


看不懂! :aa:

就如Dream_Reader兄一直強調的propagation delay,以往設計
CMOS ASIC 模擬時每個gate delay能夠在5ns已經很好了(記得
是0.8u製程),連金線wire bonding的電感和pad 接觸電阻效應
,都是以5ns左右估計,所以那時486的chip set要RUN過33MHz
還是很緊張的。 :eeh:

BJT spice model 估算的電容量如何我不是很清楚,總以為達靈
頓的接法不太可能如此快速,2ns=500MHz。


抱歉, 發問時沒說清楚!

我弄不清楚如何從2nS的rise or fall time算出500Mhz過程, 還有500Mhz是只哪種條件下的500Mhz?
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文章mtlin12 發表於 週五 11月 21, 2003 4:38 pm

有些金耳朵確實厲害,當初工程師們設計人耳只可以"聽"到20KHz,
所以CD的規格硬是用44.1KHz取樣,理論上可以含概所有音頻範圍,
實則金耳朵的不以為然現在看來是有道理的,我自己是木耳朵,
但是規格方面我個人認同SACD的100KHz,並且也相信超高音單體
有其作用,不是來"取悅"貓狗的。 :ho:
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文章mtlin12 發表於 週五 11月 21, 2003 4:45 pm

Dream_Reader兄,2ns=500MHz是我反除而得,並非wensan兄說的。

只不過kvl兄計算出來是Low TIM AMP 是1GHz才令我驚訝的。
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文章Dream_Reader 發表於 週五 11月 21, 2003 4:48 pm

wensan 寫:
mtlin12 寫:
Dream_Reader 寫:
mtlin12 寫:哇! 2ns=500MHz,遠超過許多BJT的ft了。 :aa:


看不懂! :aa:

就如Dream_Reader兄一直強調的propagation delay,以往設計
CMOS ASIC 模擬時每個gate delay能夠在5ns已經很好了(記得
是0.8u製程),連金線wire bonding的電感和pad 接觸電阻效應
,都是以5ns左右估計,所以那時486的chip set要RUN過33MHz
還是很緊張的。 :eeh:

BJT spice model 估算的電容量如何我不是很清楚,總以為達靈
頓的接法不太可能如此快速,2ns=500MHz。

8) 數位電路的電晶體會工作在飽和區與截止區。
8) 在「過度飽和」或「過度截止」的情況下,要轉態會很慢,因為通道寬度的變化要靠載子堆積,而載子的移動需要時間!
8) 在「過度飽和」的情況下,通道堆積過多載子。在「過度截止」的情況下,通道的載子幾乎都跑光了。
8) 所以「過度飽和」跟「過度截止」間的轉態會很慢!
8) 類比電路根本不希望電晶體飽和或截止,通道寬度的變化比數位電路快多了!
8) 74LS系列的TTL比74系列的TTL快就是一個例子。
:) ECL邏輯更快,因為ECL邏輯電晶體不會飽和!


我昨晚看過BUF634 data sheet, 看起來似乎還有1~2ns的propagation delay, 因為Input waveform 的速度不夠快, 所以看得不是很清楚.
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文章kvl 發表於 週六 11月 22, 2003 1:33 am

哈哈!不是計算的,是用軟體模擬的,在實際應用上1G與379M都不可能,但至少可看出達靈頓比DB快。
kvl
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文章mtlin12 發表於 週六 11月 22, 2003 8:04 am

kvl 寫:哈哈!不是計算的,是用軟體模擬的,在實際應用上1G與379M都不可能,但至少可看出達靈頓比DB快。


這樣表示軟體模擬的等效電路( modeling ),與實際可能存在不
少差異,因為在極高頻(>500MHz)時,電容、電感甚至於金線
以及半導體的spice參數可能都有變化,不能據以論述。就如IC
在次微米時其modeling可能完全不同於微米以上的時候。

否則應該有達靈頓的current buffer IC出現才對呀!實際卻不然。 :mad:

ft如何定義我不完全了解,可是1GHz真的超過小訊號2N5401 max.的300MHz太多了吧?!何況是中功率的MJE340? :aa:
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文章kvl 發表於 週一 11月 24, 2003 9:27 am

明明說了,我用的模型是mps8099、8599。
加上增益級,也就我先前說的用完整的電路來模擬,兩者的結果都差不多,以我的無迴授後級為基礎,兩者都只剩4MHz左右,換一顆晶體的影響反而大的多。
即使DB真有如您所號稱的高速,但加上增益級,就像在台灣的高速公路開一級放程式賽車一樣,最多也只能跑100。
kvl
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文章mtlin12 發表於 週一 11月 24, 2003 10:54 am

kvl 寫:明明說了,我用的模型是mps8099、8599。
加上增益級,也就我先前說的用完整的電路來模擬,兩者的結果都差不多,以我的無迴授後級為基礎,兩者都只剩4MHz左右,換一顆晶體的影響反而大的多。
即使DB真有如您所號稱的高速,但加上增益級,就像在台灣的高速公路開一級放程式賽車一樣,最多也只能跑100。


1.我想了解的模型倒不是mps8099、8599與2N5401/5551
的差異,而是模型中是否包含mps8099、8599的Cibo25~
30pF,Cobo6~8pF,以及MJE340/350沒有Cob資料,是
否可模擬林大帥用的2SD882 Cob 45pF等等。電容是頻寬的
大敵,換一顆晶體的影響因為fT不同,表現也會有差距。

2.DB只是我拿來使用當Current Buffer的架構,並借以命名DB-
01。我所命名的在加上增益級後,速度約30V/uS還不如OPA-
627。但就像META42,OP AD8620的50V/uS也未必快,
但是為何要加HA-2540 的400V/uS DB架構Buffer? 甚至並
聯2~4顆?
3."100公里"就如同音頻一般,並不能限制方程式賽車在更短的
幾秒之內的加速度,高速擴大機也是希望以最快的速度起動,
並追上訊號,卻又要保持最佳控制力,不能過慍或過火,這就
很不容易做到的。
4.DB-01兩級增益均用JFET擔綱,就是希望只管電壓增益,儘量
減少電流流失的設計,而電流放大工作就交給DB了。
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文章kvl 發表於 週一 11月 24, 2003 11:05 am

模型的資料都是軟體內建的(應是廠商提供的),不是我自已建的,這點就不勞您費心了。模擬時兩者都用相同的晶體,未獨厚達靈寧啊!

要比較兩個架構的速度,應將其他的因素摒除,在以個別元件堆成的放大器上,達靈頓碰上的問題,DB也會遇到。我們討論的是一個相對的問題(誰比較快),而不是可否達到1GHz。要在台灣的高速公路比速度,先要取消速限。

要想在高速公路跑得更快,應是取消速限(改善功率級之前的速度),而不是一直改造車子(號稱DB可以有多快)。
kvl
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文章mtlin12 發表於 週一 11月 24, 2003 1:35 pm

SPICE的電晶體模型也許只是單純的大訊號模型而已,所以還是
回到重點:究竟是達靈頓快還是DB架構快?

我之前的想法有提出過克服電容的問題在於少讓它們充放電

DB架構一般說來因為4顆電晶體都處於ACTIVE狀態,Vbe如同
uuu兄量測的一般應該幾乎不變,電容也就是說沒有充放電了。
反觀達靈頓 ( or 所謂的 Low TIM),假如模擬時Vin是從上下端
而非+/-1.5V中間,當Vin在上下半波時,電晶體的Vbe一直在變
動,也就是說電容的充放電過程一直在進行,速度就會被拖累。
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文章wensan 發表於 週一 11月 24, 2003 2:41 pm

mtlin12 寫:SPICE的電晶體模型也許只是單純的大訊號模型而已,所以還是
回到重點:究竟是達靈頓快還是DB架構快?

:eeh: 「小訊號分析」是電路學中的一個特例,所以才有所謂「小訊號模型」。「大訊號模型」是打哪兒來的啊?

:eeh: 您要不要去研究一下SPICE的Level1、Level2、Level3、Level49的模型,還有它們的參數矩陣如何建立!

:eeh: 您還以為SPICE還搞「小訊號分析」那一套啊!

:eeh: 連GHz等級的RF電路設計分析都在用SPICE,您不知道嗎?
最後由 wensan 於 週一 11月 24, 2003 3:04 pm 編輯,總共編輯了 1 次。
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文章wensan 發表於 週一 11月 24, 2003 2:50 pm

mtlin12 寫:DB架構一般說來因為4顆電晶體都處於ACTIVE狀態,Vbe如同
uuu兄量測的一般應該幾乎不變,電容也就是說沒有充放電了。
反觀達靈頓 ( or 所謂的 Low TIM),假如模擬時Vin是從上下端
而非+/-1.5V中間,當Vin在上下半波時,電晶體的Vbe一直在變
動,也就是說電容的充放電過程一直在進行,速度就會被拖累。

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:eeh: Diamond Buffer前後電晶體交替逆偏!
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文章mtlin12 發表於 週一 11月 24, 2003 3:03 pm

wensan兄,2N5401旁邊是否不應該有個0 GND點?
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文章wensan 發表於 週一 11月 24, 2003 3:08 pm

mtlin12 寫:wensan兄,2N5401旁邊是否不應該有個0 GND點?

:eeh: 哪個朋友可以教教他,那是個電位參考點!? :eeh: :eeh: :eeh: :eeh:
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